我们提供的银（Ag）、锑（Sb）、硫（S）三元化合物靶材采用火法物相合成结合磨料制靶工艺制备。靶材成分均匀、致密度高，适用于磁控溅射、脉冲激光沉积等镀膜场景，薄膜结晶度与基板结合力表现优异，可满足光电、传感等科研领域的核心需求。

一、Ag-Sb-S化合物薄膜的主要性质

1.光电性质

·带隙可调：比如AgSbS₂薄膜的带隙范围通常在1.4–1.7eV，通过硒（Se）掺杂或调节Ag/Sb比例可进一步优化带隙，例如AgSb(S,Se)₂的带隙可降至1.47eV，增强红外吸收。

·高吸收系数：适用于高效光吸收层，减少材料用量并提高载流子收集效率。

·载流子传输性能：通过掺杂（如In、Sb）或梯度结构设计，可提升载流子浓度和迁移率，减少晶界缺陷和复合损失。

2.结构特性

·结晶度与形貌：高温烧结和喷雾热解工艺可制备均匀致密的薄膜，晶粒尺寸增大（如双添加In和Sb后晶粒更完整），表面缺陷减少。

·梯度能带结构：比如通过分步结晶或硒化处理，形成AgSbS₂/AgSbSe₂梯度结构，增强内建电场，提升光生电荷分离效率。

3.其他功能特性

·光催化活性：比如AgSbS₂薄膜在光催化降解有机染料（如亚甲基蓝）中表现出高活性（3小时降解效率达80%）。

·红外响应：光谱响应范围可扩展至1900nm，适用于宽光谱红外探测器，响应频率达0.8MHz，优于传统锗探测器。

二、应用领域

1.光伏领域

·薄膜太阳能电池：作为吸收层材料，AgSbS₂基太阳能电池的光电转换效率已提升至2.43%（双添加In和Sb），且通过硒化处理可进一步优化短路电流密度（如20.65 mA/cm²）。

·量子点太阳能电池：相关研究显示，硫族化合物（如AgBiS₂）量子点电池效率可达9%，AgSbS₂可能具有类似潜力。

2.光电探测器

宽光谱红外探测器：梯度型AgSbS₂(Se)薄膜探测器在1550nm波长下响应度≥8mA/W，适用于激光通讯、自动驾驶等领域。

3.光催化与能源转化

用于降解有机污染物或光解水制氢，其带隙和载流子分离效率适合可见光驱动反应。

4.非线性光学器件

硫化物（如AgGaS₂）在红外非线性光学领域有应用，AgSbS₂可能通过组分调控实现类似功能，尤其是高热导率设计。

三、可供应的配套材料与技术

1.缓冲层与电极材料

·缓冲层：可用CdS、ZnO等匹配能带，减少界面复合。

·透明导电层：ITO（氧化铟锡）作为透明电极，结合Au或Ag金属电极形成完整器件结构。

2.掺杂与修饰剂

·In掺杂：提升结晶度并优化载流子浓度。

·Se掺杂：调节带隙并增强红外吸收，形成梯度能带。